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RF MOSFETs

RF MOSFETs è un transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore progettato per funzionare ad alte frequenze, di solito 100 MHz nella gamma GHz. Proprio per questo è necessario che il transistor spesso rimanga nell'area lineare ovvero funzioni ancora come resistore tra il contatti drain e source. Se il dispositivo arriva a saturazione, la velocità di funzionamento si riduce.
La maggior parte degli utilizzi di RF MOSFETs avviene in modalità di amplificazione di potenza. Nel funzionamento in modalità lineare, di solito non è necessario modificare il segnale di ingresso in larga misura in quanto il segnale di ingresso da amplificare regola la capacità che trasporta la corrente d'uscita del drain attraverso il source del MOSFETs in proporzione a se stesso. 
Se RF MOSFETs viene utilizzato come dispositivo di commutazione, occorre utilizzare tecniche di modulazione di ampiezza di impulso per tradurre il segnale tramite MOSFETs nell'output. Poiché la modalità di commutazione on-off di un transistor non può trasportare direttamente un segnale CA o sinusoidale, i dati del segnale d'ingresso devono essere tradotti in dati di ampiezza di impulso, inviati attraverso l'amplificatore MOSFETs e riconvertiti in un segnale CA più forte.
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